Российские ученые открыли «эффект памяти» в одноэлектронных транзисторах
Группа ученых из РФ и США смогла совместными усилиями открыть «эффект памяти» в одноэлектронных транзисторах. О своих достижениях они поделились на страницах одного из научных изданий. Сделать новое открытие ученым удалось в ходе умозрительных испытаний электросвойств транзисторов, в фундаменте концепции которого кроется вероятность обретения преобразования...
подробнее ›















