Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники
Ученые Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" в сотрудничестве со специалистами Института физики металлов СО РАН разработали и изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные повысить быстродействие высокочастотных микросхем. Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных...
подробнее ›















